光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2005年
4期
385-389
,共5页
申屠伟进%胡飞%韩彦军%薛松%罗毅%钱可元
申屠偉進%鬍飛%韓彥軍%薛鬆%囉毅%錢可元
신도위진%호비%한언군%설송%라의%전가원
GaN%发光二极管(LED)%光提取效率%蒙特卡罗方法
GaN%髮光二極管(LED)%光提取效率%矇特卡囉方法
GaN%발광이겁관(LED)%광제취효솔%몽특잡라방법
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素.结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400 μm以下时光提取效率较高.
基于矇特卡囉方法模擬分析瞭限製GaN基髮光二極管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素.結果錶明,GaN與藍寶石之間的較大摺射率差彆嚴重限製瞭芯片光提取效率的提高,通過藍寶石揹麵齣光比通過p型GaN層的正麵齣光的芯片光提取效率至少高20%;同時,低GaN光吸收繫數、高電極反射率以及環氧樹脂封裝可以有效的增加芯片光提取效率,併且LEDs芯片呎吋在400 μm以下時光提取效率較高.
기우몽특잡라방법모의분석료한제GaN기발광이겁관(LEDs)심편광제취효솔적주요인소.결과표명,GaN여람보석지간적교대절사솔차별엄중한제료심편광제취효솔적제고,통과람보석배면출광비통과p형GaN층적정면출광적심편광제취효솔지소고20%;동시,저GaN광흡수계수、고전겁반사솔이급배양수지봉장가이유효적증가심편광제취효솔,병차LEDs심편척촌재400 μm이하시광제취효솔교고.
