中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2005年
9期
1254-1257
,共4页
傅广生%褚立志%周阳%闫常瑜%武德起%王英龙%彭英才
傅廣生%褚立誌%週暘%閆常瑜%武德起%王英龍%彭英纔
부엄생%저립지%주양%염상유%무덕기%왕영룡%팽영재
薄膜%纳米Si晶粒%激光烧蚀%脉冲频率%形貌
薄膜%納米Si晶粒%激光燒蝕%脈遲頻率%形貌
박막%납미Si정립%격광소식%맥충빈솔%형모
在气压为10 Pa的惰性气体Ar环境下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为4 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω·cm的高纯单晶Si靶,在玻璃或Si衬底上沉积制备了纳米Si晶薄膜.实验中靶和衬底间距离保持为3 cm,对衬底既没有加温也没有冷却.拉曼(Raman)谱测量结果表明,所制备的薄膜中已有纳米Si晶粒形成.保持脉冲总数不变,分别取激光脉冲频率为1 Hz,3 Hz,10 Hz和20 Hz,相应沉积时间约为10 min,3.3 min,1 min和0.5 min,采用扫描电子显微镜(SEM)观察所得样品的表面形貌,不同脉冲频率下的结果比较显示,脉冲频率越大,制备的纳米Si晶薄膜的平均晶粒尺寸就越小,晶粒尺寸分布也越均匀.沉积动力学过程的非线性是导致实验出现该结果的原因.
在氣壓為10 Pa的惰性氣體Ar環境下,採用XeCl準分子激光器(波長308 nm),調整激光單脈遲能量密度為4 J/cm2,激光燒蝕電阻率為3000 Ω·cm的高純單晶Si靶,在玻璃或Si襯底上沉積製備瞭納米Si晶薄膜.實驗中靶和襯底間距離保持為3 cm,對襯底既沒有加溫也沒有冷卻.拉曼(Raman)譜測量結果錶明,所製備的薄膜中已有納米Si晶粒形成.保持脈遲總數不變,分彆取激光脈遲頻率為1 Hz,3 Hz,10 Hz和20 Hz,相應沉積時間約為10 min,3.3 min,1 min和0.5 min,採用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察所得樣品的錶麵形貌,不同脈遲頻率下的結果比較顯示,脈遲頻率越大,製備的納米Si晶薄膜的平均晶粒呎吋就越小,晶粒呎吋分佈也越均勻.沉積動力學過程的非線性是導緻實驗齣現該結果的原因.
재기압위10 Pa적타성기체Ar배경하,채용XeCl준분자격광기(파장308 nm),조정격광단맥충능량밀도위4 J/cm2,격광소식전조솔위3000 Ω·cm적고순단정Si파,재파리혹Si츤저상침적제비료납미Si정박막.실험중파화츤저간거리보지위3 cm,대츤저기몰유가온야몰유냉각.랍만(Raman)보측량결과표명,소제비적박막중이유납미Si정립형성.보지맥충총수불변,분별취격광맥충빈솔위1 Hz,3 Hz,10 Hz화20 Hz,상응침적시간약위10 min,3.3 min,1 min화0.5 min,채용소묘전자현미경(SEM)관찰소득양품적표면형모,불동맥충빈솔하적결과비교현시,맥충빈솔월대,제비적납미Si정박막적평균정립척촌취월소,정립척촌분포야월균균.침적동역학과정적비선성시도치실험출현해결과적원인.
