CAJ | 학술논문

对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较.实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内部形成的氧沉淀多,其体内的高密度缺陷如晶界、位错等对氧沉淀的形成有促进作用.多晶硅与单晶硅少子寿命大大提高,可能是由于高温退火后晶体内部形成氧沉淀及缺陷的络和物可以作为电活性杂质的吸除中心,从而减少了分散的载流子复合中心,提高了硅片的少子寿命.变化趋势的不同与晶体内部结构有关.
대다정규편진행삼보퇴화처리,용부리협홍외광보의(FTIR)화준은태광전도쇠감법(QSSPCD)측규편퇴화전후양탄함량급소자수명,병대단정규편주동양처리진행비교.실험발현:경삼보퇴화후,다정규비단정규양탄함량하강적폭도대,저표명다정규내부형성적양침정다,기체내적고밀도결함여정계、위착등대양침정적형성유촉진작용.다정규여단정규소자수명대대제고,가능시유우고온퇴화후정체내부형성양침정급결함적락화물가이작위전활성잡질적흡제중심,종이감소료분산적재류자복합중심,제고료규편적소자수명.변화추세적불동여정체내부결구유관.