固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
4期
468-471,492
,共5页
宋捷%王久敏%余林蔚%黄信凡%李伟%陈坤基
宋捷%王久敏%餘林蔚%黃信凡%李偉%陳坤基
송첩%왕구민%여림위%황신범%리위%진곤기
等离子增强化学淀积%NH3等离子体氮化%x射线光电子谱%电容-电压%界面态密度
等離子增彊化學澱積%NH3等離子體氮化%x射線光電子譜%電容-電壓%界麵態密度
등리자증강화학정적%NH3등리자체담화%x사선광전자보%전용-전압%계면태밀도
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiNx)薄膜的方法,采用NH3等离子体氮化、SiH4/NH3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiNx薄膜,研究比较了三种薄膜的性质.用X射线光电子谱检测了NH3等离子体氮化Si片得到的SiNx薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率.用NH3和SiH4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiNx薄膜.用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH3氮化再淀积SiNx的样品比直接淀积SiNx的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1～2×10n eV-1cm-2.
為尋求製備性能良好的納米厚度氮化硅(SiNx)薄膜的方法,採用NH3等離子體氮化、SiH4/NH3等離子增彊化學澱積法及先氮化後澱積的方法製備瞭三種SiNx薄膜,研究比較瞭三種薄膜的性質.用X射線光電子譜檢測瞭NH3等離子體氮化Si片得到的SiNx薄膜的組分,利用橢圓偏振光譜儀測量薄膜厚度,估算瞭氮化速率.用NH3和SiH4作為反應氣,分彆在原始硅片和經過NH3預氮化後的硅片上澱積厚度為5 nm、10 nm和50 nm的SiNx薄膜.用電容-電壓法研究瞭薄膜樣品的電學性質,髮現單純用NH3等離子體氮化的薄膜不適閤做介質膜,而先用NH3氮化再澱積SiNx的樣品比直接澱積SiNx的樣品界麵性能明顯改善,界麵態密度降低到1～2×10n eV-1cm-2.
위심구제비성능량호적납미후도담화규(SiNx)박막적방법,채용NH3등리자체담화、SiH4/NH3등리자증강화학정적법급선담화후정적적방법제비료삼충SiNx박막,연구비교료삼충박막적성질.용X사선광전자보검측료NH3등리자체담화Si편득도적SiNx박막적조분,이용타원편진광보의측량박막후도,고산료담화속솔.용NH3화SiH4작위반응기,분별재원시규편화경과NH3예담화후적규편상정적후도위5 nm、10 nm화50 nm적SiNx박막.용전용-전압법연구료박막양품적전학성질,발현단순용NH3등리자체담화적박막불괄합주개질막,이선용NH3담화재정적SiNx적양품비직접정적SiNx적양품계면성능명현개선,계면태밀도강저도1～2×10n eV-1cm-2.
