微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
4期
240-244
,共5页
张敬尧%李玉国%崔传文%张月甫%卓博世
張敬堯%李玉國%崔傳文%張月甫%卓博世
장경요%리옥국%최전문%장월보%탁박세
GaN薄膜%Si基%溅射%化学气相沉积%电泳沉积
GaN薄膜%Si基%濺射%化學氣相沉積%電泳沉積
GaN박막%Si기%천사%화학기상침적%전영침적
分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜.利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较.射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量.热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成.电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.结果表明:溅射法制备的CaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行.
分彆採用射頻磁控濺射、熱壁化學氣相沉積(CVD)、電泳沉積法製備GaN薄膜.利用掃描電鏡(SEM)、熒光光譜儀對樣品進行結構、形貌和髮光特性的分析比較.射頻磁控濺射方法中,把SiC中間層沉澱到Si襯底上,目的是為瞭緩遲由GaN外延層和Si襯底的晶格失配造成的應力.結果證實瞭SiC中間層提高瞭GaN薄膜的質量.熱壁化學氣相沉積法製備GaN晶體膜時,選擇H2作反應氣體兼載體,有利于GaN膜的形成.電泳沉積法顯示所得樣品為六方纖鋅礦結構的GaN多晶薄膜.結果錶明:濺射法製備的CaN薄膜結晶效果好;CVD法製備時GaN薄膜應用範圍廣;電泳沉積法操作方便、簡單易行.
분별채용사빈자공천사、열벽화학기상침적(CVD)、전영침적법제비GaN박막.이용소묘전경(SEM)、형광광보의대양품진행결구、형모화발광특성적분석비교.사빈자공천사방법중,파SiC중간층침정도Si츤저상,목적시위료완충유GaN외연층화Si츤저적정격실배조성적응력.결과증실료SiC중간층제고료GaN박막적질량.열벽화학기상침적법제비GaN정체막시,선택H2작반응기체겸재체,유리우GaN막적형성.전영침적법현시소득양품위륙방섬자광결구적GaN다정박막.결과표명:천사법제비적CaN박막결정효과호;CVD법제비시GaN박막응용범위엄;전영침적법조작방편、간단역행.
