半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
813-815
,共3页
王会智%闫锐%刘波%冯志红%何庆国%蔡树军
王會智%閆銳%劉波%馮誌紅%何慶國%蔡樹軍
왕회지%염예%류파%풍지홍%하경국%채수군
AlGaN/GaN%宽带%单片%放大器%脉冲
AlGaN/GaN%寬帶%單片%放大器%脈遲
AlGaN/GaN%관대%단편%방대기%맥충
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2～7 GHz频带内,小信号增益G＞18 dB,输入回损＜-10 dB,脉冲饱和输出功率Po＞5 W,功率增益GP＞15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.
基于GaN HEMT器件在微波功率方麵的優越性能,設計併實現瞭寬帶GaN單片功率放大器.簡述瞭AlGaN/GaN異質結構的優勢以及現狀,同時結閤熱分析的方法給齣瞭所選GaN HEMT器件的基本呎吋和性能,併採用ICCAP提取瞭閤適的大信號模型,通過器件性能優選拓撲結構,最終運用寬帶匹配的方法併結閤較先進的倣真軟件設計瞭一款GaN寬帶單片功率放大器.測試結果錶明,單片放大器脈遲工作方式下在2～7 GHz頻帶內,小信號增益G＞18 dB,輸入迴損＜-10 dB,脈遲飽和輸齣功率Po＞5 W,功率增益GP＞15 dB,典型功率附加效率25%(測試條件為脈寬100μs,佔空比10%).GaN HEMT器件具有較高的功率密度和良好的寬帶特點.
기우GaN HEMT기건재미파공솔방면적우월성능,설계병실현료관대GaN단편공솔방대기.간술료AlGaN/GaN이질결구적우세이급현상,동시결합열분석적방법급출료소선GaN HEMT기건적기본척촌화성능,병채용ICCAP제취료합괄적대신호모형,통과기건성능우선탁복결구,최종운용관대필배적방법병결합교선진적방진연건설계료일관GaN관대단편공솔방대기.측시결과표명,단편방대기맥충공작방식하재2～7 GHz빈대내,소신호증익G＞18 dB,수입회손＜-10 dB,맥충포화수출공솔Po＞5 W,공솔증익GP＞15 dB,전형공솔부가효솔25%(측시조건위맥관100μs,점공비10%).GaN HEMT기건구유교고적공솔밀도화량호적관대특점.
