半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
1期
8-10
,共3页
王利杰%冯玢%洪颖%孟大磊%王香泉%严如岳
王利傑%馮玢%洪穎%孟大磊%王香泉%嚴如嶽
왕리걸%풍분%홍영%맹대뢰%왕향천%엄여악
3英寸(75 mm)%4H-SiC%电阻率%微管道缺陷%半高宽
3英吋(75 mm)%4H-SiC%電阻率%微管道缺陷%半高寬
3영촌(75 mm)%4H-SiC%전조솔%미관도결함%반고관
报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75 mm)半绝缘4H-SiC衬底.使用计算机模拟技术,进行了3英寸(75 mm)4H-SiC晶体生长的热场设计,并在此基础上研制出适合3英寸(75 mm)4H-SiC PVT生长的晶体生长设备,采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试,结果均为单一的4H晶型,采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法测得晶片电阻率为109～1012Ω·cm.微管道缺陷(MPD)测量采用熔融KOH腐蚀法,测得平均微管道密度为104个/cm2,其中晶片的30%区域微管道缺陷小于10个/cm2.使用X射线双晶衍射测试得到其半高宽(FWHM)为31 arcsec,说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性.
報道瞭採用物理氣相傳輸(PVT)法進行SiC單晶生長方麵取得的最新進展,成功研製得到固態微波器件急需的3英吋(75 mm)半絕緣4H-SiC襯底.使用計算機模擬技術,進行瞭3英吋(75 mm)4H-SiC晶體生長的熱場設計,併在此基礎上研製齣適閤3英吋(75 mm)4H-SiC PVT生長的晶體生長設備,採用喇曼光譜對晶體生長錶麵5點進行測試,結果均為單一的4H晶型,採用非接觸電阻率麵分佈(COREMA)方法測得晶片電阻率為109～1012Ω·cm.微管道缺陷(MPD)測量採用鎔融KOH腐蝕法,測得平均微管道密度為104箇/cm2,其中晶片的30%區域微管道缺陷小于10箇/cm2.使用X射線雙晶衍射測試得到其半高寬(FWHM)為31 arcsec,說明所穫得的晶體具有良好的結晶完整性.
보도료채용물리기상전수(PVT)법진행SiC단정생장방면취득적최신진전,성공연제득도고태미파기건급수적3영촌(75 mm)반절연4H-SiC츤저.사용계산궤모의기술,진행료3영촌(75 mm)4H-SiC정체생장적열장설계,병재차기출상연제출괄합3영촌(75 mm)4H-SiC PVT생장적정체생장설비,채용나만광보대정체생장표면5점진행측시,결과균위단일적4H정형,채용비접촉전조솔면분포(COREMA)방법측득정편전조솔위109～1012Ω·cm.미관도결함(MPD)측량채용용융KOH부식법,측득평균미관도밀도위104개/cm2,기중정편적30%구역미관도결함소우10개/cm2.사용X사선쌍정연사측시득도기반고관(FWHM)위31 arcsec,설명소획득적정체구유량호적결정완정성.
