微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
3期
433-435
,共3页
VDMOS%复合速率%异常峰值电流%氧化物陷阱电荷%界面态电荷
VDMOS%複閤速率%異常峰值電流%氧化物陷阱電荷%界麵態電荷
VDMOS%복합속솔%이상봉치전류%양화물함정전하%계면태전하
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论.异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状态决定.一般MOSFET不具有此特殊结构,因而不具有此异常峰值电流现象.为了验证上述理论,采用TCAD(ISE),模拟了氧化物陷阱电荷和界面态电荷对异常峰值电流的影响程度.研究结果表明,氧化物陷阱电荷和界面态电荷显著影响neck区域的复合电流,是产生异常峰值电流最主要的原因.
研究瞭VDMOS器件存在異常峰值電流的原因,提齣瞭解釋此現象的理論.異常峰值電流的大小由VDMOS元胞在P+body區之間neck區的界麵狀態決定.一般MOSFET不具有此特殊結構,因而不具有此異常峰值電流現象.為瞭驗證上述理論,採用TCAD(ISE),模擬瞭氧化物陷阱電荷和界麵態電荷對異常峰值電流的影響程度.研究結果錶明,氧化物陷阱電荷和界麵態電荷顯著影響neck區域的複閤電流,是產生異常峰值電流最主要的原因.
연구료VDMOS기건존재이상봉치전류적원인,제출료해석차현상적이론.이상봉치전류적대소유VDMOS원포재P+body구지간neck구적계면상태결정.일반MOSFET불구유차특수결구,인이불구유차이상봉치전류현상.위료험증상술이론,채용TCAD(ISE),모의료양화물함정전하화계면태전하대이상봉치전류적영향정도.연구결과표명,양화물함정전하화계면태전하현저영향neck구역적복합전류,시산생이상봉치전류최주요적원인.
