初始化生长条件对a-GaN中应变的影响
초시화생장조건대a-GaN중응변적영향
Effect of Initial Growth Conditions on The Strain in a-plane GaN
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2012年 6期 581-585 ,共5页

    贾辉%陈一仁%孙晓娟%黎大兵%宋航%蒋红%缪国庆%李志明

    가휘%진일인%손효연%려대병%송항%장홍%무국경%리지명

    a-GaN%各向异性%拉曼散射光谱%残余应变 a-GaN%各嚮異性%拉曼散射光譜%殘餘應變
    a-GaN%각향이성%랍만산사광보%잔여응변
    利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响.实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低.因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长.
    이용고분변X사선연사(HRXRD)여랍만산사광보(Raman scattering spectra)연구료담화처리여저온AlN완충층대저압금속유궤화학기상침적(LP-MOCVD)재r면람보석츤저상외연적a면GaN박막중적잔여응변적영향.실험결과표명:여담화처리후생장적a-GaN상비,사용저온AlN완충층후생장적a-GaN구유교소적요파곡선적반고관화교저적잔여응변,이차기결구각향이성화잔여응변각향이성야균유일정정도적강저.인차,여담화처리상비,저온AlN완충층경유리우a-GaN적생장.
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