微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
5期
532-535
,共4页
王桂珍%何宝平%姜景和%张正选%罗尹虹
王桂珍%何寶平%薑景和%張正選%囉尹虹
왕계진%하보평%강경화%장정선%라윤홍
辐射效应%Faraday筒%阈值电压%MOS器件%CMOS电路
輻射效應%Faraday筒%閾值電壓%MOS器件%CMOS電路
복사효응%Faraday통%역치전압%MOS기건%CMOS전로
介绍了加固型CMOS电路在60Co-γ射线源、10 MeV以下的质子、1～2 MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验.结果表明,在相同吸收剂量和+5 V栅压的偏置条件下,1 MeV的电子与60Co-γ射线源对器件的损伤相当.质子与60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果.+5 V栅压下,能量在10 MeV以下的质子对器件的损伤小于60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与60Co-γ射线源对器件的损伤相当.通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应.
介紹瞭加固型CMOS電路在60Co-γ射線源、10 MeV以下的質子、1～2 MeV的電子等輻射源輻照下的總劑量效應實驗.結果錶明,在相同吸收劑量和+5 V柵壓的偏置條件下,1 MeV的電子與60Co-γ射線源對器件的損傷相噹.質子與60Co-γ射線源對器件的輻射損傷,在不同的柵壓偏置下有不同的結果.+5 V柵壓下,能量在10 MeV以下的質子對器件的損傷小于60Co-γ射線源,且質子對器件的輻射損傷隨著質子能量的增加而增加;在零柵壓的偏置條件下,質子對器件的損傷與60Co-γ射線源對器件的損傷相噹.通過對實驗結果的分析認為,用實驗室常用的60Co-γ射線源可以模擬MOS器件在質子、電子輻射環境下的最劣總劑量效應.
개소료가고형CMOS전로재60Co-γ사선원、10 MeV이하적질자、1～2 MeV적전자등복사원복조하적총제량효응실험.결과표명,재상동흡수제량화+5 V책압적편치조건하,1 MeV적전자여60Co-γ사선원대기건적손상상당.질자여60Co-γ사선원대기건적복사손상,재불동적책압편치하유불동적결과.+5 V책압하,능량재10 MeV이하적질자대기건적손상소우60Co-γ사선원,차질자대기건적복사손상수착질자능량적증가이증가;재령책압적편치조건하,질자대기건적손상여60Co-γ사선원대기건적손상상당.통과대실험결과적분석인위,용실험실상용적60Co-γ사선원가이모의MOS기건재질자、전자복사배경하적최렬총제량효응.
