发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
4期
545-547
,共3页
华瑞年%牛晶华%李文连%李明涛%俞天智%初蓓%李斌
華瑞年%牛晶華%李文連%李明濤%俞天智%初蓓%李斌
화서년%우정화%리문련%리명도%유천지%초배%리빈
核-壳结构%ZnS:Tb/CdS%纳米晶%电致发光%器件
覈-殼結構%ZnS:Tb/CdS%納米晶%電緻髮光%器件
핵-각결구%ZnS:Tb/CdS%납미정%전치발광%기건
利用微乳液方法合成出粒径为4 nm的核-壳结构ZnS:Tb/CdS纳米晶.用XRD、TEM及荧光光谱等手段对合成的纳米晶的结构、形态和光学特性分别进行了表征.将ZnS:Tb/CdS纳米晶制作成有机-无机杂化结构电致发光器件,其结构为ITO/poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrene sulfonate)(PEDOT-PSS)(70 nm)/poly(vinylcobarzale)(PVK)(100 nm)/ZnS:Tb/CdS纳米晶(120 nm)/2,9-dimethyl -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)(30 nm)/LiF(1.0 nm)/Al(100nm).当驱动电压为13 V时,可以测到Tb3+离子的两个特征峰.在电致发光光谱中未测到聚合物PVK的发光,说明电子和空穴是在纳米晶层上复合的.当驱动电压为25 V时,得到器件的最大亮度为19 cd/m2.
利用微乳液方法閤成齣粒徑為4 nm的覈-殼結構ZnS:Tb/CdS納米晶.用XRD、TEM及熒光光譜等手段對閤成的納米晶的結構、形態和光學特性分彆進行瞭錶徵.將ZnS:Tb/CdS納米晶製作成有機-無機雜化結構電緻髮光器件,其結構為ITO/poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrene sulfonate)(PEDOT-PSS)(70 nm)/poly(vinylcobarzale)(PVK)(100 nm)/ZnS:Tb/CdS納米晶(120 nm)/2,9-dimethyl -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)(30 nm)/LiF(1.0 nm)/Al(100nm).噹驅動電壓為13 V時,可以測到Tb3+離子的兩箇特徵峰.在電緻髮光光譜中未測到聚閤物PVK的髮光,說明電子和空穴是在納米晶層上複閤的.噹驅動電壓為25 V時,得到器件的最大亮度為19 cd/m2.
이용미유액방법합성출립경위4 nm적핵-각결구ZnS:Tb/CdS납미정.용XRD、TEM급형광광보등수단대합성적납미정적결구、형태화광학특성분별진행료표정.장ZnS:Tb/CdS납미정제작성유궤-무궤잡화결구전치발광기건,기결구위ITO/poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrene sulfonate)(PEDOT-PSS)(70 nm)/poly(vinylcobarzale)(PVK)(100 nm)/ZnS:Tb/CdS납미정(120 nm)/2,9-dimethyl -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)(30 nm)/LiF(1.0 nm)/Al(100nm).당구동전압위13 V시,가이측도Tb3+리자적량개특정봉.재전치발광광보중미측도취합물PVK적발광,설명전자화공혈시재납미정층상복합적.당구동전압위25 V시,득도기건적최대량도위19 cd/m2.
