金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2005年
10期
1087-1090
,共4页
李铸国%华学明%吴毅雄%三宅正司
李鑄國%華學明%吳毅雄%三宅正司
리주국%화학명%오의웅%삼택정사
TiN薄膜%物理气相沉积(PVD)%择优取向%离子照射
TiN薄膜%物理氣相沉積(PVD)%擇優取嚮%離子照射
TiN박막%물리기상침적(PVD)%택우취향%리자조사
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
用誘導型等離子體輔助磁控濺射裝置在Si(100)錶麵低溫沉積TiN膜,研究瞭高密度低能量(≈20 eV)離子束輔照對濺射鍍TiN膜生長、結構和性能的影響.結果錶明,高密度低能離子束輔照會改變TiN膜的擇優生長方嚮併使薄膜緻密化.即使沉積溫度低于150℃,噹入射基闆離子數和Ti原子數的比值Ji/JTi≥4.7時,沉積的TiN膜仍可具有完全的(200)麵擇優生長,薄膜微觀結構緻密,硬度達到25 GPa,殘餘壓應力小.
용유도형등리자체보조자공천사장치재Si(100)표면저온침적TiN막,연구료고밀도저능량(≈20 eV)리자속보조대천사도TiN막생장、결구화성능적영향.결과표명,고밀도저능리자속보조회개변TiN막적택우생장방향병사박막치밀화.즉사침적온도저우150℃,당입사기판리자수화Ti원자수적비치Ji/JTi≥4.7시,침적적TiN막잉가구유완전적(200)면택우생장,박막미관결구치밀,경도체도25 GPa,잔여압응력소.
