航空材料学报
航空材料學報
항공재료학보
JOURNAL OF AERONAUTICAL MATERIALS
2006年
4期
61-64
,共4页
王治国%祖小涛%封向东%余华军%傅永庆
王治國%祖小濤%封嚮東%餘華軍%傅永慶
왕치국%조소도%봉향동%여화군%부영경
TiNi基形状记忆合金薄膜%相变特征%示差扫描量热法(DSC)%基片曲率法
TiNi基形狀記憶閤金薄膜%相變特徵%示差掃描量熱法(DSC)%基片麯率法
TiNi기형상기억합금박막%상변특정%시차소묘량열법(DSC)%기편곡솔법
利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.
利用磁控濺射的方法在單晶Si和非晶SiO2基片上製備瞭TiNi和TiNiCu形狀記憶閤金薄膜,併利用示差掃描量熱法和基片麯率法研究瞭薄膜的相變特徵及應力隨溫度的變化.研究結果錶明450℃濺射形成的記憶閤金薄膜具有良好的形狀記憶效應,在微電子機械繫統有很好的應用前景.TiNi薄膜降溫時齣現R相變,因而髮生兩步相變,而TiNiCu薄膜中馬氏體和奧氏體間直接轉變.基片以及薄膜成份對相變點有很大的影響.單晶Si片作為基片時,記憶閤金薄膜和基片間有很好的結閤力,而SiO2作為基片時,記憶閤金薄膜容易剝落.
이용자공천사적방법재단정Si화비정SiO2기편상제비료TiNi화TiNiCu형상기억합금박막,병이용시차소묘량열법화기편곡솔법연구료박막적상변특정급응력수온도적변화.연구결과표명450℃천사형성적기억합금박막구유량호적형상기억효응,재미전자궤계계통유흔호적응용전경.TiNi박막강온시출현R상변,인이발생량보상변,이TiNiCu박막중마씨체화오씨체간직접전변.기편이급박막성빈대상변점유흔대적영향.단정Si편작위기편시,기억합금박막화기편간유흔호적결합력,이SiO2작위기편시,기억합금박막용역박락.
