栅型共振隧穿晶体管的设计与研制
책형공진수천정체관적설계여연제
Design and Fabrication of Gate-Type Resonant Tunneling Transistors
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 11期 1974-1980 ,共7页

    郭维廉%梁惠来%宋瑞良%张世林%毛陆虹%胡留长%李建恒%齐海涛%冯震%田国平%商跃辉%刘永强%李亚丽%袁明文%李效白

    곽유렴%량혜래%송서량%장세림%모륙홍%호류장%리건항%제해도%풍진%전국평%상약휘%류영강%리아려%원명문%리효백

    共振隧穿晶体管%栅控型器件%GaAs基量子器件 共振隧穿晶體管%柵控型器件%GaAs基量子器件
    공진수천정체관%책공형기건%GaAs기양자기건
    在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
    재연제RTD경험적기출상설계병연제성공책형GaAs기공진수천정체관(GRTT).문중대해기건적재료결구설계、기건결구설계、광각판도설계、기건제작、삼수측량여분석등진행료계통적묘술.소연제출적GRTT최대PVCR위46,최대과도위8mS,위진일보개선기건성능화삼수전정료기출.
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