压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2007年
3期
335-337
,共3页
赵平%夏义本%王林军%刘健敏%苏青峰%阮建峰%史伟民
趙平%夏義本%王林軍%劉健敏%囌青峰%阮建峰%史偉民
조평%하의본%왕림군%류건민%소청봉%원건봉%사위민
ZnO薄膜%金刚石膜%c轴取向%射频磁控溅射
ZnO薄膜%金剛石膜%c軸取嚮%射頻磁控濺射
ZnO박막%금강석막%c축취향%사빈자공천사
提出了一种制作ZnO/金刚石/硅结构声表面波器件的新工艺.利用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,通过逐次调整气压、碳源浓度等生长参数,在硅基片上沉积了晶粒尺寸逐层减小的、光滑的多层式金刚石薄膜,表面粗糙度低于20 nm,厚度大于35 μm.在金刚石膜上制作了线宽为8 μm的IDT电极.尝试利用射频(RF)磁控溅射法在制备的多层式金刚石膜上生长ZnO薄膜,X-射线衍射(XRD)结果表明,当衬底温度(Th)为250 ℃、气压(P)为0.4 Pa时,在多层式金刚石薄膜衬底上可沉积高度c轴取向的ZnO薄膜,电阻率接近106 Ω·cm,满足制作声表面波器件对衬底材料的要求.
提齣瞭一種製作ZnO/金剛石/硅結構聲錶麵波器件的新工藝.利用熱絲化學氣相沉積(HFCVD)技術,通過逐次調整氣壓、碳源濃度等生長參數,在硅基片上沉積瞭晶粒呎吋逐層減小的、光滑的多層式金剛石薄膜,錶麵粗糙度低于20 nm,厚度大于35 μm.在金剛石膜上製作瞭線寬為8 μm的IDT電極.嘗試利用射頻(RF)磁控濺射法在製備的多層式金剛石膜上生長ZnO薄膜,X-射線衍射(XRD)結果錶明,噹襯底溫度(Th)為250 ℃、氣壓(P)為0.4 Pa時,在多層式金剛石薄膜襯底上可沉積高度c軸取嚮的ZnO薄膜,電阻率接近106 Ω·cm,滿足製作聲錶麵波器件對襯底材料的要求.
제출료일충제작ZnO/금강석/규결구성표면파기건적신공예.이용열사화학기상침적(HFCVD)기술,통과축차조정기압、탄원농도등생장삼수,재규기편상침적료정립척촌축층감소적、광활적다층식금강석박막,표면조조도저우20 nm,후도대우35 μm.재금강석막상제작료선관위8 μm적IDT전겁.상시이용사빈(RF)자공천사법재제비적다층식금강석막상생장ZnO박막,X-사선연사(XRD)결과표명,당츤저온도(Th)위250 ℃、기압(P)위0.4 Pa시,재다층식금강석박막츤저상가침적고도c축취향적ZnO박막,전조솔접근106 Ω·cm,만족제작성표면파기건대츤저재료적요구.
