固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
5期
411-418
,共8页
实空间转移%负阻效应%量子效应
實空間轉移%負阻效應%量子效應
실공간전이%부조효응%양자효응
实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注.实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等.为深入的理解半导体异质结中的实空间转移对实空间转移效应的基本原理以及它在相应器件上的应用进行了研究,概述了国际上的相关研究方向和研究进展,并提出研究思路和技术方案.
實空間轉移的機理不同于k空間轉移,因而受到瞭廣汎關註.實空間轉移效應的器件是一種新型的半導體器件,有衆多其它器件達不到的優點,如響應時間可達到ps級彆、可以實現負阻效應等.為深入的理解半導體異質結中的實空間轉移對實空間轉移效應的基本原理以及它在相應器件上的應用進行瞭研究,概述瞭國際上的相關研究方嚮和研究進展,併提齣研究思路和技術方案.
실공간전이적궤리불동우k공간전이,인이수도료엄범관주.실공간전이효응적기건시일충신형적반도체기건,유음다기타기건체불도적우점,여향응시간가체도ps급별、가이실현부조효응등.위심입적리해반도체이질결중적실공간전이대실공간전이효응적기본원리이급타재상응기건상적응용진행료연구,개술료국제상적상관연구방향화연구진전,병제출연구사로화기술방안.