半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
8期
15-18,33
,共5页
p型%GaN%欧姆接触
p型%GaN%歐姆接觸
p형%GaN%구모접촉
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快.p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制.本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展.
寬帶隙的GaN作為半導體領域研究的熱點之一,近年來髮展得很快.p型GaN的歐姆接觸問題一直阻礙高溫大功率GaN基器件的研製.本文討論瞭金屬化方案的選擇、錶麵預處理和閤金化處理等幾箇問題,迴顧瞭近年來p型GaN歐姆接觸的研究進展.
관대극적GaN작위반도체영역연구적열점지일,근년래발전득흔쾌.p형GaN적구모접촉문제일직조애고온대공솔GaN기기건적연제.본문토론료금속화방안적선택、표면예처리화합금화처리등궤개문제,회고료근년래p형GaN구모접촉적연구진전.
