InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究
InGaN/GaN다양자정람광LED적p-GaN개층적MOCVD생장연구
Investigations of p-GaN cap layers of InGaN/GaN MQW Blue LEDs grown by MOCVD
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2006年 5期 517-521 ,共5页

    牛南辉%王怀兵%刘建平%刘乃鑫%邢燕辉%韩军%邓军%郭霞%沈光地

    우남휘%왕부병%류건평%류내흠%형연휘%한군%산군%곽하%침광지

    GaN%伏安特性%发光二极管(LED)%金属有机物化学气相淀积(MOCVD) GaN%伏安特性%髮光二極管(LED)%金屬有機物化學氣相澱積(MOCVD)
    GaN%복안특성%발광이겁관(LED)%금속유궤물화학기상정적(MOCVD)
    利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响.结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高.进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差.因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制.
    이용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)생장료InGaN/GaN다양자정(MQW)람광발광이겁관(LED),연구료불동Cp2Mg류량하생장적p-GaN개층대기건전학특성적영향.결과표명,수착Cp2Mg류량적제고,루전류승고,병차도체일림계점회신속악화;정향압강칙선강저,후승고.진이연구상동생장조건하생장적p-GaN박막적전학특성、표면형모급정체질량,결과표명,생장p-GaN개층시,Cp2Mg류량과저,개층적공혈농도저,전학특성불호;Cp2Mg류량과고,칙회산생대량적결함,개층정체질량여표면형모변차,사득공혈농도강저,전학특성변차.인차,생장p-GaN개층시,위사기건적정향압강여반향루전류균체도요구,Cp2Mg류량응정학공제.
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