物理
物理
물리
2006年
5期
376-381
,共6页
范守善%姜开利%刘亮%刘长洪%李群庆
範守善%薑開利%劉亮%劉長洪%李群慶
범수선%강개리%류량%류장홍%리군경
碳纳米管%析出模式%碳纳米管长线%热界面材料
碳納米管%析齣模式%碳納米管長線%熱界麵材料
탄납미관%석출모식%탄납미관장선%열계면재료
碳纳米管的可控制生长,及其宏观尺度结构的制备,对于碳纳米管的应用具有重要的意义,为了实现准确的生长控制,对碳纳米管生长机理的深入了解是不可缺少的前提条件.文章介绍了我们近年来在碳纳米管生长机理、可控生长及其应用方面的一些进展.通过引入13C标记法,我们证实了化学气相沉积法中碳纳米管以析出模式生长;实时改变生长的气相成份和流量,可以在碳纳米管阵列上留下标记序列,并据此测量出其生长速率及活化能.将超顺排碳纳米管阵列的合成扩展到4英寸规模,并发展了用挥发性有机溶剂处理碳纳米管线的方法,大大提高了其强度和可操作性.处理后的碳纳米管线可以方便地用于热电子源、高电流密度冷阴极以及荧光灯等.热界面材料在IT产业中具有重要的应用背景,我们用碳纳米管阵列制备的复合材料具有极高的热导率和极低的界面热阻,同时发展了化学修饰、端部剪裁、金属集热层等新技术以制备高性能的碳纳米管热界面材料.
碳納米管的可控製生長,及其宏觀呎度結構的製備,對于碳納米管的應用具有重要的意義,為瞭實現準確的生長控製,對碳納米管生長機理的深入瞭解是不可缺少的前提條件.文章介紹瞭我們近年來在碳納米管生長機理、可控生長及其應用方麵的一些進展.通過引入13C標記法,我們證實瞭化學氣相沉積法中碳納米管以析齣模式生長;實時改變生長的氣相成份和流量,可以在碳納米管陣列上留下標記序列,併據此測量齣其生長速率及活化能.將超順排碳納米管陣列的閤成擴展到4英吋規模,併髮展瞭用揮髮性有機溶劑處理碳納米管線的方法,大大提高瞭其彊度和可操作性.處理後的碳納米管線可以方便地用于熱電子源、高電流密度冷陰極以及熒光燈等.熱界麵材料在IT產業中具有重要的應用揹景,我們用碳納米管陣列製備的複閤材料具有極高的熱導率和極低的界麵熱阻,同時髮展瞭化學脩飾、耑部剪裁、金屬集熱層等新技術以製備高性能的碳納米管熱界麵材料.
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