微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
5期
615-617,621
,共4页
超高真空化学气相淀积%渐变Ge分布%SiGe材料
超高真空化學氣相澱積%漸變Ge分佈%SiGe材料
초고진공화학기상정적%점변Ge분포%SiGe재료
对自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVD SGE500)的气路系统进行了改进,使之能够生长出较好的Ge分布图形.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测试技术,研究并优化了外延生长参量,最终得到了具有优化Ge分布的SiGe材料.
對自行研製的超高真空化學氣相外延設備(RHT/UHV/CVD SGE500)的氣路繫統進行瞭改進,使之能夠生長齣較好的Ge分佈圖形.利用X射線雙晶衍射(DCXRD)和二次離子質譜(SIMS)測試技術,研究併優化瞭外延生長參量,最終得到瞭具有優化Ge分佈的SiGe材料.
대자행연제적초고진공화학기상외연설비(RHT/UHV/CVD SGE500)적기로계통진행료개진,사지능구생장출교호적Ge분포도형.이용X사선쌍정연사(DCXRD)화이차리자질보(SIMS)측시기술,연구병우화료외연생장삼량,최종득도료구유우화Ge분포적SiGe재료.
