半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
6期
444-447,459
,共5页
程新红%宋朝瑞%俞跃辉%姜丽娟%许仲德
程新紅%宋朝瑞%俞躍輝%薑麗娟%許仲德
정신홍%송조서%유약휘%강려연%허중덕
图形化PSOI%横向双扩散MOSFET%击穿电压%结构优化
圖形化PSOI%橫嚮雙擴散MOSFET%擊穿電壓%結構優化
도형화PSOI%횡향쌍확산MOSFET%격천전압%결구우화
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻.PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×101 2cm-2.对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到1 6V,器件有源区的温度降低了50℃.结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本.
針對溝道下方開硅窗口的圖形化SOI(PSOI)橫嚮雙擴散MOSFET(LDMOSFET)進行瞭結構優化分析,髮現存在優化的漂移區長度和摻雜濃度以及頂層硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的擊穿電壓和較低的開態電阻.PSOI結構的RESURF條件為Nd·tsi=1.8～3×101 2cm-2.對結構優化的PSOILDMOSFET進行瞭開態輸齣特性模擬,輸齣特性麯線沒有麯翹現象和負導現象,開態擊穿電壓可達到1 6V,器件有源區的溫度降低瞭50℃.結構優化有利于提高器件性能和降低器件的開髮成本.
침대구도하방개규창구적도형화SOI(PSOI)횡향쌍확산MOSFET(LDMOSFET)진행료결구우화분석,발현존재우화적표이구장도화참잡농도이급정층규후도사PSOI LDMOSFET구유최대적격천전압화교저적개태전조.PSOI결구적RESURF조건위Nd·tsi=1.8～3×101 2cm-2.대결구우화적PSOILDMOSFET진행료개태수출특성모의,수출특성곡선몰유곡교현상화부도현상,개태격천전압가체도1 6V,기건유원구적온도강저료50℃.결구우화유리우제고기건성능화강저기건적개발성본.
