硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究
규기고도택우취향PZT후막적제비급성능연구
Fabrication and investigation of Si-based PZT thick films
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2006年 9期 1392-1394 ,共3页

    刘保亭%程春生%赵庆勋%闫正%马良%李锋%武德起

    류보정%정춘생%조경훈%염정%마량%리봉%무덕기

    硅衬底%锆钛酸铅%溶胶-凝胶法%厚膜 硅襯底%鋯鈦痠鉛%溶膠-凝膠法%厚膜
    규츤저%고태산연%용효-응효법%후막
    应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍＞108Ω·cm.
    응용용효-응효법성공지재이SrTiO3(STO)위모판/조당층Si(001)기편상제비료La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si이질결,PZT적후도위0.8μm.연구료이질결적결구화성능.실험발현,PZT결정량호、구유(001)고도택우취향이급교고적겁화강도화교소적겁화강도대맥충관도적의뢰성;당외가전압위50V시,전조솔잉＞108Ω·cm.
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