中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2007年
4期
57-59
,共3页
超薄栅氧化层%PMOSFET%负偏压温度不稳定性(NBTI)%退化%恢复效应
超薄柵氧化層%PMOSFET%負偏壓溫度不穩定性(NBTI)%退化%恢複效應
초박책양화층%PMOSFET%부편압온도불은정성(NBTI)%퇴화%회복효응
本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature instability)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method).用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(△Vth)信息.这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响.
本文提齣瞭一種在線錶徵負偏壓溫度不穩定性(NBTI,negative bias temperature instability)退化的方法--直接隧道柵電流錶徵法(DTGCM,DT Gate Current Method).用這種方法可以得到NBTI應力誘生在超薄柵氧化層中的缺陷密度(包括氧化層體陷阱密度和界麵態密度),併得到PMOSFET器件閾值電壓的漂移(△Vth)信息.這種方法可以有效避免NBTI恢複效應的影響.
본문제출료일충재선표정부편압온도불은정성(NBTI,negative bias temperature instability)퇴화적방법--직접수도책전류표정법(DTGCM,DT Gate Current Method).용저충방법가이득도NBTI응력유생재초박책양화층중적결함밀도(포괄양화층체함정밀도화계면태밀도),병득도PMOSFET기건역치전압적표이(△Vth)신식.저충방법가이유효피면NBTI회복효응적영향.
