CAJ | 학술논문

通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O2流量为120 sccm,N2流量为600 sccm,得到在NH3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密.所以80 sccm NH3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量.Hall测量结果表明,NH3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102 Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×1016 cm-3,迁移率为3.6cm2·V-1·s-1;当NH3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达108Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析.
통과MOCVD방법생장적ZnO박막일반위부자생장,정n형전도,요상득도고조혹저조p-ZnO박막수요대기진행참잡시주혹수주잡질.주요연구재생장과정중통과NH3대ZnO박막진행담참잡적정황,이용우화생장조건,즉생장온도위610℃,Ar기(휴대DEZn)류량위4 sccm,O2류량위120 sccm,N2류량위600 sccm,득도재NH3류량위80 sccm시생장양품적결정질량최고,재참잡박막중NH3류량고우혹저우80 sccm시,양품적표면형모도장변차,지유재80 sccm시표면조조도최저정립최소,표명해류량하획득적양품표면교광활치밀.소이80 sccm NH3류량위재R면람보석상생장<110>취향ZnO박막적최가참잡류량.Hall측량결과표명,NH3류량위50 sccm적양품전도정약p형,전조솔위102 Ω·cm,공혈재류자농도위+1.69×1016 cm-3,천이솔위3.6cm2·V-1·s-1;당NH3류량증가시양품적전도정n형,전조솔최고체108Ω·cm,아문인위여진입ZnO박막적H적량유관,병대기변화궤리진행료상세적분석.