高能物理与核物理
高能物理與覈物理
고능물리여핵물리
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS
2005年
5期
524-529
,共6页
刘昌龙%E.Ntsoenzok%D.Alquier
劉昌龍%E.Ntsoenzok%D.Alquier
류창룡%E.Ntsoenzok%D.Alquier
单晶Si He离子注入 H等离子体处理 透射电子显微镜 空腔
單晶Si He離子註入 H等離子體處理 透射電子顯微鏡 空腔
단정Si He리자주입 H등리자체처리 투사전자현미경 공강
室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800℃高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550 keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论.
室溫下分彆採用40,160和1550 keV的He離子註入單晶Si樣品到相同的劑量5×1016cm-2,部分經He註入過的樣品然後再分彆接受高密度H等離子體處理.利用透射電子顯微鏡分析比較瞭隨後800℃高溫退火引起的空腔形成.結果錶明,附加的H等離子體處理對空腔生長所產生的效應明顯地依賴于He離子的能量.對于40 keV He離子註入,空腔的形成和熱生長似乎不受H等離子體處理的影響,而對于160 keV He離子註入,附加的等離子體處理則促進瞭空腔的生長併伴隨著空腔分佈區域的變窄.對于1550 keV He離子註入,H等離子體處理對空腔產生的效應介于40和160 keV註入情況之間.結閤H等離子體處理在Si中所引起的缺陷的產生及其熱縯變過程對實驗結果進行瞭討論.
실온하분별채용40,160화1550 keV적He리자주입단정Si양품도상동적제량5×1016cm-2,부분경He주입과적양품연후재분별접수고밀도H등리자체처리.이용투사전자현미경분석비교료수후800℃고온퇴화인기적공강형성.결과표명,부가적H등리자체처리대공강생장소산생적효응명현지의뢰우He리자적능량.대우40 keV He리자주입,공강적형성화열생장사호불수H등리자체처리적영향,이대우160 keV He리자주입,부가적등리자체처리칙촉진료공강적생장병반수착공강분포구역적변착.대우1550 keV He리자주입,H등리자체처리대공강산생적효응개우40화160 keV주입정황지간.결합H등리자체처리재Si중소인기적결함적산생급기열연변과정대실험결과진행료토론.
