固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
2期
151-153
,共3页
尚勋忠%松下和征%井上知也%喜多隆%和田修%保田英洋%森博太郎
尚勛忠%鬆下和徵%井上知也%喜多隆%和田脩%保田英洋%森博太郎
상훈충%송하화정%정상지야%희다륭%화전수%보전영양%삼박태랑
砷化铟量子点%氮化%光荧光
砷化銦量子點%氮化%光熒光
신화인양자점%담화%광형광
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构.结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低.
用低溫光熒光(PL)和透射電子顯微鏡(TEM)研究瞭錶麵氮化自組織InAs/GaAs量子點的光學性能和微觀結構.結果錶明氮化後形成薄層的InAsN薄膜作為應變緩和層覆蓋在量子點的錶麵,使得隨著氮化時間的增加,InAs量子點的位錯密度提高、呎吋變大、縱橫比提高、髮光波長變長、彊度變低.
용저온광형광(PL)화투사전자현미경(TEM)연구료표면담화자조직InAs/GaAs양자점적광학성능화미관결구.결과표명담화후형성박층적InAsN박막작위응변완화층복개재양자점적표면,사득수착담화시간적증가,InAs양자점적위착밀도제고、척촌변대、종횡비제고、발광파장변장、강도변저.
