离子径迹模板辅助法制备InSb纳米线
리자경적모판보조법제비InSb납미선
Preparation of InSb Nanowire by Ion-Track Template
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2008年 z1期 295-299 ,共5页

    姚会军%刘杰%段敬来%莫丹%陈艳峰%张苓%侯明东%孙友梅

    요회군%류걸%단경래%막단%진염봉%장령%후명동%손우매

    重离子径迹模板%电化学沉积%InSb纳米线 重離子徑跡模闆%電化學沉積%InSb納米線
    중리자경적모판%전화학침적%InSb납미선
    以厚度30 μm的聚碳酸酯薄膜为母板,利用加速器提供的高能重离子对其进行辐照,辐照过的模板经紫外光敏化后置于蚀刻液中进行蚀刻以获得重离子径迹模板.采用电化学共沉积技术在重离子径迹模板中成功制备了InSb纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行观察和分析,结合X射线衍射(XRD)研究沉积电位对InSb纳米成分的影响,最终获得了重离子径迹模板中制备InSb纳米线所需的最佳电化学沉积条件.
    이후도30 μm적취탄산지박막위모판,이용가속기제공적고능중리자대기진행복조,복조과적모판경자외광민화후치우식각액중진행식각이획득중리자경적모판.채용전화학공침적기술재중리자경적모판중성공제비료InSb납미선.통과소묘전자현미경(SEM)대기형모진행관찰화분석,결합X사선연사(XRD)연구침적전위대InSb납미성분적영향,최종획득료중리자경적모판중제비InSb납미선소수적최가전화학침적조건.
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