大众科技
大衆科技
대음과기
DAZHONG KEJI
2010年
5期
111-112
,共2页
量子点%离子注入%退火%透射电子显微镜
量子點%離子註入%退火%透射電子顯微鏡
양자점%리자주입%퇴화%투사전자현미경
利用离子注入法在Si(001)片上先后注入了In+和As+,注入剂量为1.5×1017cm-2,注入能量分别为210和150keV,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了材料的截面像.
利用離子註入法在Si(001)片上先後註入瞭In+和As+,註入劑量為1.5×1017cm-2,註入能量分彆為210和150keV,然後對樣品經過退火處理製備齣瞭量子點材料,用透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)觀察瞭材料的截麵像.
이용리자주입법재Si(001)편상선후주입료In+화As+,주입제량위1.5×1017cm-2,주입능량분별위210화150keV,연후대양품경과퇴화처리제비출료양자점재료,용투사전자현미경(TEM)화고분변투사전자현미경(HRTEM)관찰료재료적절면상.
