激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2010年
6期
766-769
,共4页
王彩凤%李清山%胡波%梁德春
王綵鳳%李清山%鬍波%樑德春
왕채봉%리청산%호파%량덕춘
材料%白光%光致发光%I-V特性曲线%孔隙%硫化锌/多孔硅
材料%白光%光緻髮光%I-V特性麯線%孔隙%硫化鋅/多孔硅
재료%백광%광치발광%I-V특성곡선%공극%류화자/다공규
为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和I-V特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质.结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长.随着衬底PS孔隙的增多,ZnS薄膜衍射峰的强度减小,且薄膜表面出现一些空洞和裂缝;在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中,PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移,随着PS孔隙的增多,该蓝移量增大,而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射,归因于ZnS的缺陷中心发光.ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射.ZnS/PS异质结的I-V特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性,在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于0.随着衬底PS孔隙的增多,正向电流增大.该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础.
為瞭研究襯底多孔硅(PS)的孔隙對硫化鋅/多孔硅(ZnS/PS)複閤體繫的光學性能和電學性質的影響,採用脈遲激光沉積方法在不同孔隙度的PS襯底上沉積瞭硫化鋅薄膜.利用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、熒光分光光度計和I-V特性麯線分彆研究瞭PS襯底上ZnS薄膜的晶體結構、錶麵形貌和ZnS/PS複閤體繫的光學和電學性質.結果錶明,沉積的ZnS薄膜呈立方相晶體結構,沿β-ZnS(111)晶嚮擇優取嚮生長.隨著襯底PS孔隙的增多,ZnS薄膜衍射峰的彊度減小,且薄膜錶麵齣現一些空洞和裂縫;在ZnS/PS複閤體繫的光緻髮光譜中,PS的髮光相對于未沉積ZnS薄膜的PS有所藍移,隨著PS孔隙的增多,該藍移量增大,而且在光譜中間550nm左右齣現瞭一箇新的綠光髮射,歸因于ZnS的缺陷中心髮光.ZnS的藍、綠光與PS的紅光相疊加,整箇ZnS/PS複閤體繫呈現齣較彊的白光髮射.ZnS/PS異質結的I-V特性麯線呈現齣與普通二極管相似的整流特性,在正嚮偏置下,電流密度較大,電壓降較低;在反嚮偏置下,電流密度接近于0.隨著襯底PS孔隙的增多,正嚮電流增大.該項研究結果為固態白光髮射器件的實現奠定瞭基礎.
위료연구츤저다공규(PS)적공극대류화자/다공규(ZnS/PS)복합체계적광학성능화전학성질적영향,채용맥충격광침적방법재불동공극도적PS츤저상침적료류화자박막.이용X사선연사의、소묘전자현미경、형광분광광도계화I-V특성곡선분별연구료PS츤저상ZnS박막적정체결구、표면형모화ZnS/PS복합체계적광학화전학성질.결과표명,침적적ZnS박막정립방상정체결구,연β-ZnS(111)정향택우취향생장.수착츤저PS공극적증다,ZnS박막연사봉적강도감소,차박막표면출현일사공동화렬봉;재ZnS/PS복합체계적광치발광보중,PS적발광상대우미침적ZnS박막적PS유소람이,수착PS공극적증다,해람이량증대,이차재광보중간550nm좌우출현료일개신적록광발사,귀인우ZnS적결함중심발광.ZnS적람、록광여PS적홍광상첩가,정개ZnS/PS복합체계정현출교강적백광발사.ZnS/PS이질결적I-V특성곡선정현출여보통이겁관상사적정류특성,재정향편치하,전류밀도교대,전압강교저;재반향편치하,전류밀도접근우0.수착츤저PS공극적증다,정향전류증대.해항연구결과위고태백광발사기건적실현전정료기출.