兰州大学学报（自然科学版）
蘭州大學學報（自然科學版）
란주대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY（NATURAL SCIENCES）
2010年
5期
122-125
,共4页
张勇%张春林%王方聪%刘肃
張勇%張春林%王方聰%劉肅
장용%장춘림%왕방총%류숙
有机电致发光器件(OLED)%掺杂%F4-TCNQ%空穴传输层
有機電緻髮光器件(OLED)%摻雜%F4-TCNQ%空穴傳輸層
유궤전치발광기건(OLED)%참잡%F4-TCNQ%공혈전수층
研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的P型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件(OLED).F4-TCNQ在空穴传输层2T-NATA中的掺杂浓度为8%(质量百分比)时(驱动电压为22 V),其亮度达到4256 cd/m2,同时与未掺杂的器件相比,其最大发光效率由2.9 cd/A增大到3.4 cd/A.分析结果表明,OLED性能的改善主要归因于:首先,掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触,使消耗在ITO/空穴传输层界面的电压达到最小;其次,掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激子的几率,最终使器件性能得到了很大程度的改善.
研究瞭在空穴傳輸層2T-NATA中摻雜不同濃度的P型氧化劑F4-TCNQ製備高性能的綠色有機電緻髮光器件(OLED).F4-TCNQ在空穴傳輸層2T-NATA中的摻雜濃度為8%(質量百分比)時(驅動電壓為22 V),其亮度達到4256 cd/m2,同時與未摻雜的器件相比,其最大髮光效率由2.9 cd/A增大到3.4 cd/A.分析結果錶明,OLED性能的改善主要歸因于:首先,摻雜F4-TCNQ使得器件做到瞭歐姆接觸,使消耗在ITO/空穴傳輸層界麵的電壓達到最小;其次,摻雜F4-TCNQ提高瞭載流子形成激子的幾率,最終使器件性能得到瞭很大程度的改善.
연구료재공혈전수층2T-NATA중참잡불동농도적P형양화제F4-TCNQ제비고성능적록색유궤전치발광기건(OLED).F4-TCNQ재공혈전수층2T-NATA중적참잡농도위8%(질량백분비)시(구동전압위22 V),기량도체도4256 cd/m2,동시여미참잡적기건상비,기최대발광효솔유2.9 cd/A증대도3.4 cd/A.분석결과표명,OLED성능적개선주요귀인우:수선,참잡F4-TCNQ사득기건주도료구모접촉,사소모재ITO/공혈전수층계면적전압체도최소;기차,참잡F4-TCNQ제고료재류자형성격자적궤솔,최종사기건성능득도료흔대정도적개선.
