核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2010年
8期
1031-1036
,共6页
唐威%刘佑宝%耿增建%吴龙胜
唐威%劉祐寶%耿增建%吳龍勝
당위%류우보%경증건%오룡성
SOI%抗总剂量辐射%部分耗尽%俘获电荷%背沟道反型
SOI%抗總劑量輻射%部分耗儘%俘穫電荷%揹溝道反型
SOI%항총제량복사%부분모진%부획전하%배구도반형
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因.通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响.模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态.
研究瞭深亞微米部分耗儘型SOI NMOSFET的抗總劑量輻射特性,主要討論不同偏置狀態對器件抗總劑量輻射性能的影響及其原因.通過器件模擬髮現,輻射過程中的不同偏置狀態使器件的電場分佈差異很大,而器件埋層中俘穫空穴的分佈與電場密切相關,進而對器件產生不同的影響.模擬結果錶明,器件在關態偏置下,揹溝道附近陷穫電荷密度最高,引起的閾值電壓負嚮漂移和洩漏電流最大,即該偏置狀態為浮體器件抗總劑量輻射的最劣偏置狀態.
연구료심아미미부분모진형SOI NMOSFET적항총제량복사특성,주요토론불동편치상태대기건항총제량복사성능적영향급기원인.통과기건모의발현,복사과정중적불동편치상태사기건적전장분포차이흔대,이기건매층중부획공혈적분포여전장밀절상관,진이대기건산생불동적영향.모의결과표명,기건재관태편치하,배구도부근함획전하밀도최고,인기적역치전압부향표이화설루전류최대,즉해편치상태위부체기건항총제량복사적최렬편치상태.
