电镀与精饰
電鍍與精飾
전도여정식
PLATING & FINISHING
2012年
2期
40-42
,共3页
雷兆武%耿世刚%王玉玲%陈婧
雷兆武%耿世剛%王玉玲%陳婧
뢰조무%경세강%왕옥령%진청
氨水%膜电解%含铜电镀废水%铜离子
氨水%膜電解%含銅電鍍廢水%銅離子
안수%막전해%함동전도폐수%동리자
以氨水为电解质处理含铜电镀废水的膜电解过程中,通过阳离子交换膜迁移的主要离子包括Cu2、NH4+及H+,废水中Cu2的去除方式包括在电场力和渗析作用下废水中Cu2+通过阳离子交换膜进入阴极室,以及由于NH4+的迁移,在废水中形成Cu(OH)2絮体.采用膜电解技术,在V(氨水)∶V(纯水)分别为3∶5、2∶5、1∶8的情况下,对p(Cu2+)=109 mg/L电镀废水进行膜电解去除废水中Cu2的实验研究.结果表明,在V(氨水):V(纯水)为3∶5时,电解5h,废水中Cu2+去除率为94.71％,ρ(Cu2+)为5.79 mg/L;废水中形成的Cu(OH)2絮体中Cu2的质量浓度约占膜电解过程去除ρ(Cu2+)的40％.
以氨水為電解質處理含銅電鍍廢水的膜電解過程中,通過暘離子交換膜遷移的主要離子包括Cu2、NH4+及H+,廢水中Cu2的去除方式包括在電場力和滲析作用下廢水中Cu2+通過暘離子交換膜進入陰極室,以及由于NH4+的遷移,在廢水中形成Cu(OH)2絮體.採用膜電解技術,在V(氨水)∶V(純水)分彆為3∶5、2∶5、1∶8的情況下,對p(Cu2+)=109 mg/L電鍍廢水進行膜電解去除廢水中Cu2的實驗研究.結果錶明,在V(氨水):V(純水)為3∶5時,電解5h,廢水中Cu2+去除率為94.71％,ρ(Cu2+)為5.79 mg/L;廢水中形成的Cu(OH)2絮體中Cu2的質量濃度約佔膜電解過程去除ρ(Cu2+)的40％.
이안수위전해질처리함동전도폐수적막전해과정중,통과양리자교환막천이적주요리자포괄Cu2、NH4+급H+,폐수중Cu2적거제방식포괄재전장력화삼석작용하폐수중Cu2+통과양리자교환막진입음겁실,이급유우NH4+적천이,재폐수중형성Cu(OH)2서체.채용막전해기술,재V(안수)∶V(순수)분별위3∶5、2∶5、1∶8적정황하,대p(Cu2+)=109 mg/L전도폐수진행막전해거제폐수중Cu2적실험연구.결과표명,재V(안수):V(순수)위3∶5시,전해5h,폐수중Cu2+거제솔위94.71％,ρ(Cu2+)위5.79 mg/L;폐수중형성적Cu(OH)2서체중Cu2적질량농도약점막전해과정거제ρ(Cu2+)적40％.
