山东建筑大学学报
山東建築大學學報
산동건축대학학보
JOURNAL OF SHANDONG JIANZHU UNIVERSITY
2012年
4期
386-389
,共4页
密度泛函理论%第一性原理%V掺杂ZnO
密度汎函理論%第一性原理%V摻雜ZnO
밀도범함이론%제일성원리%V참잡ZnO
采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同浓度的V掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,V的掺杂导致ZnO晶格发生了微小膨胀,禁带宽度变窄,体系引入的杂质能级靠近导带底,费米能级进入了导带并且穿插在杂质能级中,自旋态密度分布具有不对称性,自旋向上的电子数比自旋向下的电子数多,对态密度进行积分后发现V掺杂ZnO体系表现出净磁矩,具有磁性.当V掺杂后,V-3d态电子与O-2p态电子的态密度分布大部分重合,形成了pd杂化.
採用第一性原理平麵波超軟贗勢,計算瞭纖鋅礦ZnO和不同濃度的V摻雜ZnO晶體的能帶結構、態密度和分波態密度.計算錶明,V的摻雜導緻ZnO晶格髮生瞭微小膨脹,禁帶寬度變窄,體繫引入的雜質能級靠近導帶底,費米能級進入瞭導帶併且穿插在雜質能級中,自鏇態密度分佈具有不對稱性,自鏇嚮上的電子數比自鏇嚮下的電子數多,對態密度進行積分後髮現V摻雜ZnO體繫錶現齣淨磁矩,具有磁性.噹V摻雜後,V-3d態電子與O-2p態電子的態密度分佈大部分重閤,形成瞭pd雜化.
채용제일성원리평면파초연안세,계산료섬자광ZnO화불동농도적V참잡ZnO정체적능대결구、태밀도화분파태밀도.계산표명,V적참잡도치ZnO정격발생료미소팽창,금대관도변착,체계인입적잡질능급고근도대저,비미능급진입료도대병차천삽재잡질능급중,자선태밀도분포구유불대칭성,자선향상적전자수비자선향하적전자수다,대태밀도진행적분후발현V참잡ZnO체계표현출정자구,구유자성.당V참잡후,V-3d태전자여O-2p태전자적태밀도분포대부분중합,형성료pd잡화.
