清华大学学报(自然科学版)
清華大學學報(自然科學版)
청화대학학보(자연과학판)
Journal of Tsinghua University
2003年
7期
1005-1008
,共4页
林羲%董业民%何平%陈猛%王曦%田立林%李志坚
林羲%董業民%何平%陳猛%王晞%田立林%李誌堅
림희%동업민%하평%진맹%왕희%전립림%리지견
场效应器件%绝缘体上硅(SOI)%局域注氧%浮体效应%自热效应
場效應器件%絕緣體上硅(SOI)%跼域註氧%浮體效應%自熱效應
장효응기건%절연체상규(SOI)%국역주양%부체효응%자열효응
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.
嚴重的自熱效應和浮體效應是絕緣體上硅(SOI)器件的主要缺點.絕緣體上漏源(DSOI)結構的提齣就是為瞭抑製SOI器件中的這兩種效應.為瞭實現DSOI器件結構併且研究DSOI器件的特性,和SOI器件與體硅器件進行對比,採用新型的跼域註氧工藝成功地在同一管芯上製作瞭DSOI、體硅和SOI 3種結構的器件.通過對3種結構器件的電學特性和熱學特性的測量比較,證明瞭DSOI器件成功地抑製瞭浮體效應,併且大大降低瞭自熱效應.由于DSOI器件漏、源區下方埋氧層的存在,在消除瞭SOI器件嚴重的自熱效應和浮體效應的同時,保持瞭SOI器件相對體硅器件的電學特性優勢.DSOI器件成功地結閤瞭SOI器件和體硅器件的優點,併且剋服瞭兩者的缺點,是一種很有希望的高速低功耗新器件.
엄중적자열효응화부체효응시절연체상규(SOI)기건적주요결점.절연체상루원(DSOI)결구적제출취시위료억제SOI기건중적저량충효응.위료실현DSOI기건결구병차연구DSOI기건적특성,화SOI기건여체규기건진행대비,채용신형적국역주양공예성공지재동일관심상제작료DSOI、체규화SOI 3충결구적기건.통과대3충결구기건적전학특성화열학특성적측량비교,증명료DSOI기건성공지억제료부체효응,병차대대강저료자열효응.유우DSOI기건루、원구하방매양층적존재,재소제료SOI기건엄중적자열효응화부체효응적동시,보지료SOI기건상대체규기건적전학특성우세.DSOI기건성공지결합료SOI기건화체규기건적우점,병차극복료량자적결점,시일충흔유희망적고속저공모신기건.
