物理学报
物理學報
물이학보
2007年
9期
5353-5358
,共6页
史力斌%任骏原%张凤云%张国华%余增强
史力斌%任駿原%張鳳雲%張國華%餘增彊
사력빈%임준원%장봉운%장국화%여증강
MgB2/Al2O3%超导体%电阻转变%各向异性
MgB2/Al2O3%超導體%電阻轉變%各嚮異性
MgB2/Al2O3%초도체%전조전변%각향이성
利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.
利用電子束蒸髮方法將MgB2超導薄膜沉積到Al2O3(001)襯底上.採用標準的四引線法研究瞭磁場平行和垂直超導薄膜ab平麵下的電阻轉變.一箇激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用來分析超導薄膜磁通線的激活能和電阻轉變,結果錶明該模型能夠在整箇轉變溫度範圍描述超導體磁通線的激活能和電阻轉變.另外,利用多項式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析瞭MgB2/Al2O3超導薄膜的上臨界磁場,穫得瞭該超導薄膜的各嚮異性參數γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.
이용전자속증발방법장MgB2초도박막침적도Al2O3(001)츤저상.채용표준적사인선법연구료자장평행화수직초도박막ab평면하적전조전변.일개격활능모형 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m피건립용래분석초도박막자통선적격활능화전조전변,결과표명해모형능구재정개전변온도범위묘술초도체자통선적격활능화전조전변.령외,이용다항식Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2분석료MgB2/Al2O3초도박막적상림계자장,획득료해초도박막적각향이성삼수γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.
