半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
245-248
,共4页
高立华%杨云柯%陈海昕%符松
高立華%楊雲柯%陳海昕%符鬆
고립화%양운가%진해흔%부송
CFD%GaN%MOCVD%气相反应%表面沉积速率
CFD%GaN%MOCVD%氣相反應%錶麵沉積速率
CFD%GaN%MOCVD%기상반응%표면침적속솔
采用计算流体力学方法对生长GaN的立式行星结构金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室中的流场、空间气相反应和载片表面沉积速率进行了三维数值模拟,研究了载片旋转、反应室高度、氨气流量和基座不同温度布局方式对反应产物浓度分布和载片表面沉积速率等物理参数的影响,并对主要运行参数提出了优化建议,例如采用较低反应室高度、基座中心附近采用较低温度等.
採用計算流體力學方法對生長GaN的立式行星結構金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)反應室中的流場、空間氣相反應和載片錶麵沉積速率進行瞭三維數值模擬,研究瞭載片鏇轉、反應室高度、氨氣流量和基座不同溫度佈跼方式對反應產物濃度分佈和載片錶麵沉積速率等物理參數的影響,併對主要運行參數提齣瞭優化建議,例如採用較低反應室高度、基座中心附近採用較低溫度等.
채용계산류체역학방법대생장GaN적입식행성결구금속유궤물화학기상침적(MOCVD)반응실중적류장、공간기상반응화재편표면침적속솔진행료삼유수치모의,연구료재편선전、반응실고도、안기류량화기좌불동온도포국방식대반응산물농도분포화재편표면침적속솔등물리삼수적영향,병대주요운행삼수제출료우화건의,례여채용교저반응실고도、기좌중심부근채용교저온도등.
