红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2006年
z5期
76-79
,共4页
曾庆明%李献杰%蒲云章%乔树允
曾慶明%李獻傑%蒲雲章%喬樹允
증경명%리헌걸%포운장%교수윤
雪崩光电二极管%InP/InGaAs%光电探测器
雪崩光電二極管%InP/InGaAs%光電探測器
설붕광전이겁관%InP/InGaAs%광전탐측기
采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.
採用分層吸收漸變電荷倍增(SAGCM)結構,通過兩次擴散、多層介質澱積、AuZn p型歐姆接觸、AuGeNi n型歐姆接觸等工藝,設計製造瞭正麵入射平麵InP/InGaAs雪崩光電二極管,器件利用InGaAs做吸收層,InP做增益層,光敏麵直徑50 μm;測試結果錶明器件有正常的光響應特性,擊穿電壓32～42 V,在低于擊穿電壓2 V左右可以得到大約10A/W的光響應度,在0到小于擊穿電壓1 V的偏壓範圍內,暗電流隻有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.
채용분층흡수점변전하배증(SAGCM)결구,통과량차확산、다층개질정적、AuZn p형구모접촉、AuGeNi n형구모접촉등공예,설계제조료정면입사평면InP/InGaAs설붕광전이겁관,기건이용InGaAs주흡수층,InP주증익층,광민면직경50 μm;측시결과표명기건유정상적광향응특성,격천전압32～42 V,재저우격천전압2 V좌우가이득도대약10A/W적광향응도,재0도소우격천전압1 V적편압범위내,암전류지유1 nA좌우;기건재2.7 GHz이하유평탄적증익.
