半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
11期
853-856
,共4页
宽边耦合带状线%高功率%损耗小%体积小%功率合成
寬邊耦閤帶狀線%高功率%損耗小%體積小%功率閤成
관변우합대상선%고공솔%손모소%체적소%공솔합성
讨论了一种应用宽边耦合线技术设计和制造的功率合成器,介绍了其基本应用原理和工作模式.以一种L波段的高功率合成器为例,应用计算机CAD技术进行模拟仿真,并将仿真结果与实测结果进行了对比,结果表明,仿真结果与实测结果相差小于0.3 dB,满足使用要求.讨论了设计方法和实际应用要求之间的关系,并在实际应用中取得了较好的效果.这种功率合成器在高功率合成中,具有插入损耗小、两端口相位和幅值均衡度好、功率容量大、体积小、便于装配和调试的特点,是一种很好的高功率合成方式.
討論瞭一種應用寬邊耦閤線技術設計和製造的功率閤成器,介紹瞭其基本應用原理和工作模式.以一種L波段的高功率閤成器為例,應用計算機CAD技術進行模擬倣真,併將倣真結果與實測結果進行瞭對比,結果錶明,倣真結果與實測結果相差小于0.3 dB,滿足使用要求.討論瞭設計方法和實際應用要求之間的關繫,併在實際應用中取得瞭較好的效果.這種功率閤成器在高功率閤成中,具有插入損耗小、兩耑口相位和幅值均衡度好、功率容量大、體積小、便于裝配和調試的特點,是一種很好的高功率閤成方式.
토론료일충응용관변우합선기술설계화제조적공솔합성기,개소료기기본응용원리화공작모식.이일충L파단적고공솔합성기위례,응용계산궤CAD기술진행모의방진,병장방진결과여실측결과진행료대비,결과표명,방진결과여실측결과상차소우0.3 dB,만족사용요구.토론료설계방법화실제응용요구지간적관계,병재실제응용중취득료교호적효과.저충공솔합성기재고공솔합성중,구유삽입손모소、량단구상위화폭치균형도호、공솔용량대、체적소、편우장배화조시적특점,시일충흔호적고공솔합성방식.
