用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究
용SiCl4/H2기원침적다정규박막광조은정성적연구
The light-stability of polycrystalline silicon films deposited at low temperatures from SiCI4/H2 mixture
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2005年 8期 3805-3809 ,共5页

    祝祖送%林璇英%余云鹏%林揆训%邱桂明%黄锐%余楚迎

    축조송%림선영%여운붕%림규훈%구계명%황예%여초영

    多晶硅薄膜%稳恒光电导效应%晶界%光致衰退效应 多晶硅薄膜%穩恆光電導效應%晶界%光緻衰退效應
    다정규박막%은항광전도효응%정계%광치쇠퇴효응
    对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.
    대이SiH4/H2급SiCl4/H2위원기체、채용등리자체증강화학기상침적기술제비적비정규박막화다정규박막진행료광조은정성적연구.실험표명,제비적다정규박막병몰유출현비정규중적광치쇠감현상,기광전도、암전도재광조과정중몰유하강반이유소상승차전도솔변화쾌만수경희석도적제약.다정규박막적광조은정성가능래원우고적정화도급Cl원소적존재.
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