半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
200-203
,共4页
中子辐照%热施主%直拉硅%辐照缺陷
中子輻照%熱施主%直拉硅%輻照缺陷
중자복조%열시주%직랍규%복조결함
对快中子辐照的直拉硅分别进行了650 ℃和120 ℃快速(RTP)预热处理.450 ℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650 ℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降.N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响.
對快中子輻照的直拉硅分彆進行瞭650 ℃和120 ℃快速(RTP)預熱處理.450 ℃下不同時間熱處理激髮熱施主,通過四探針測量電阻率和載流子濃度的變化規律,應用傅裏葉紅外光譜(FTIR)測量間隙氧含量的變化.實驗錶明經650 ℃預熱處理,使輻照樣品熱施主的形成受到瞭抑製;Ar氣氛RTP預處理條件下,隨輻照劑量的增加熱施主形成的總量會不斷下降.N2氣氛RTP預處理,使未輻照樣品的熱施主形成被抑製,氣氛對輻照樣品熱施主的形成沒有明顯的影響.
대쾌중자복조적직랍규분별진행료650 ℃화120 ℃쾌속(RTP)예열처리.450 ℃하불동시간열처리격발열시주,통과사탐침측량전조솔화재류자농도적변화규률,응용부리협홍외광보(FTIR)측량간극양함량적변화.실험표명경650 ℃예열처리,사복조양품열시주적형성수도료억제;Ar기분RTP예처리조건하,수복조제량적증가열시주형성적총량회불단하강.N2기분RTP예처리,사미복조양품적열시주형성피억제,기분대복조양품열시주적형성몰유명현적영향.
