半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
7期
684-688
,共5页
二探针%平式针尖无凹痕模型%多层理论%扩展电阻
二探針%平式針尖無凹痕模型%多層理論%擴展電阻
이탐침%평식침첨무요흔모형%다층이론%확전전조
论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据.二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻.总结了为提高测试准确性,在测试中需要注意的事项.较高的空间分辨率和先进的多层算法,使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品.因此,在IC芯片制造过程中,二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺,为工程师调试新工艺、优化工艺条件以及进行失效分析等工作,提供电阻率.深度曲线图和载流子浓度-深度曲线图等数据.
論述瞭擴展電阻分佈法的基本原理和具體操作方法,該法中兩箇精確排列的探針,沿著被測晶片的磨製斜麵邊移動,邊測試,得齣繫列數據.二探針擴展電阻分佈法採用平式針尖無凹痕接觸模型和多層理論計算擴展電阻.總結瞭為提高測試準確性,在測試中需要註意的事項.較高的空間分辨率和先進的多層算法,使二探針擴展電阻分佈法能夠測試多種結構複雜的樣品.因此,在IC芯片製造過程中,二探針擴展電阻分佈法廣汎應用于外延、註入和擴散等工藝,為工程師調試新工藝、優化工藝條件以及進行失效分析等工作,提供電阻率.深度麯線圖和載流子濃度-深度麯線圖等數據.
논술료확전전조분포법적기본원리화구체조작방법,해법중량개정학배렬적탐침,연착피측정편적마제사면변이동,변측시,득출계렬수거.이탐침확전전조분포법채용평식침첨무요흔접촉모형화다층이론계산확전전조.총결료위제고측시준학성,재측시중수요주의적사항.교고적공간분변솔화선진적다층산법,사이탐침확전전조분포법능구측시다충결구복잡적양품.인차,재IC심편제조과정중,이탐침확전전조분포법엄범응용우외연、주입화확산등공예,위공정사조시신공예、우화공예조건이급진행실효분석등공작,제공전조솔.심도곡선도화재류자농도-심도곡선도등수거.
