功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2010年
6期
536-541
,共6页
李宜瑾%凌云%宋志棠%贾晓玲%罗胜钦
李宜瑾%凌雲%宋誌棠%賈曉玲%囉勝欽
리의근%릉운%송지당%가효령%라성흠
相变存储器%选通二极管%数值模拟
相變存儲器%選通二極管%數值模擬
상변존저기%선통이겁관%수치모의
设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V.文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流.
設計瞭0.13um標準CMOS工藝下相變存儲器(PCM)中選通二極管的二維工藝模型,利用數值模擬方法進行倣真,對模型中關鍵參數的優化,得到瞭一箇性能優化的P+/N-/N+結構的選通二極管,此選通二極管可在1.47V電壓下達到1mA的RESET電流,併且反嚮擊穿電壓可以達到11V.文章最後還討論瞭工藝呎吋從0.13um到22nm等比例縮小下選通二極管的性能,倣真結果錶明這些選通二極管均能在較低電壓下提供滿足RESET操作的電流.
설계료0.13um표준CMOS공예하상변존저기(PCM)중선통이겁관적이유공예모형,이용수치모의방법진행방진,대모형중관건삼수적우화,득도료일개성능우화적P+/N-/N+결구적선통이겁관,차선통이겁관가재1.47V전압하체도1mA적RESET전류,병차반향격천전압가이체도11V.문장최후환토론료공예척촌종0.13um도22nm등비례축소하선통이겁관적성능,방진결과표명저사선통이겁관균능재교저전압하제공만족RESET조작적전류.
