微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
285-288
,共4页
垂直双扩散晶体管%非箝位感性开关%单脉冲雪崩击穿能量
垂直雙擴散晶體管%非箝位感性開關%單脈遲雪崩擊穿能量
수직쌍확산정체관%비겸위감성개관%단맥충설붕격천능량
介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺.分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系.由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后形成的Deep body区域的横向尺寸差异很大,导致了其UIS能力差异也很大.最后,通过仿真,验证了平面氧化层P+工艺确实具有最强的UIS能力,与理论分析完全一致.
介紹瞭幾種不同工藝流程:利用光刻膠做掩蔽的P+掩模註入工藝,利用ILD做掩蔽的接觸孔P+註入工藝,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平麵氧化層P+工藝.分析瞭這幾種工藝流程與UIS能力的關繫.由于受光刻工藝影響存在差異,這三種做法最後形成的Deep body區域的橫嚮呎吋差異很大,導緻瞭其UIS能力差異也很大.最後,通過倣真,驗證瞭平麵氧化層P+工藝確實具有最彊的UIS能力,與理論分析完全一緻.
개소료궤충불동공예류정:이용광각효주엄폐적P+엄모주입공예,이용ILD주엄폐적접촉공P+주입공예,이용LTO형성적Spacer주병폐적평면양화층P+공예.분석료저궤충공예류정여UIS능력적관계.유우수광각공예영향존재차이,저삼충주법최후형성적Deep body구역적횡향척촌차이흔대,도치료기UIS능력차이야흔대.최후,통과방진,험증료평면양화층P+공예학실구유최강적UIS능력,여이론분석완전일치.
