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현대현시
ADVANCED DISPLAY
2011年
11期
14-17
,共4页
选择比%电感耦合等离子体%干法刻蚀%偏置功率
選擇比%電感耦閤等離子體%榦法刻蝕%偏置功率
선택비%전감우합등리자체%간법각식%편치공솔
selectivity%inductively-coupled plasma（ICP）%dry etch%bias power
在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机（ICP）,运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm/min时的GaN/AZ-4620选择比为0.92,可以应用于实际生产。
在榦法刻蝕GaN時使用AZ-4620作為掩膜層,為瞭在較快的GaN刻蝕速率下穫得良好的GaN/AZ-4620刻蝕選擇比,使用電感耦閤等離子刻蝕機（ICP）,運用Cl2和BCl3作為刻蝕氣體,改變氣體總流量、直流自偏壓、ICP功率、氣體組分等工藝條件,併討論瞭這些因素對GaN/AZ-4620刻蝕選擇比以及對GaN刻蝕速率的影響。實驗結果穫得瞭GaN在刻蝕速率為225nm/min時的GaN/AZ-4620選擇比為0.92,可以應用于實際生產。
재간법각식GaN시사용AZ-4620작위엄막층,위료재교쾌적GaN각식속솔하획득량호적GaN/AZ-4620각식선택비,사용전감우합등리자각식궤（ICP）,운용Cl2화BCl3작위각식기체,개변기체총류량、직류자편압、ICP공솔、기체조분등공예조건,병토론료저사인소대GaN/AZ-4620각식선택비이급대GaN각식속솔적영향。실험결과획득료GaN재각식속솔위225nm/min시적GaN/AZ-4620선택비위0.92,가이응용우실제생산。
A Cl2/BCl3 inductively-coupled plasma（ICP） was used to etch GaN,using AZ-4620 as the barrier layer,The etching selectivity of GaN/AZ-4620 was improved by changing the total flow rate,DC bias,ICP power,and the ratio of Cl2 was discussed.Experimental results indicate that the selectivity of GaN/AZ-4620 can reach to 0.92 while the etching rate of GaN is 225 nm/min.It fits to the practical production.
