清华大学学报（英文版）
清華大學學報（英文版）
청화대학학보（영문판）
TSINGHUA SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
3期
265-274
,共10页
集成电路设计 保护设计 ESD AMS 芯片 超深亚微米 RF 无线电频率
集成電路設計 保護設計 ESD AMS 芯片 超深亞微米 RF 無線電頻率
집성전로설계 보호설계 ESD AMS 심편 초심아미미 RF 무선전빈솔
electrostatic discharge （ESD）%ESD protection%radio frequency （RF）%parasitic capacitance
As integrated circuits （IC） technologies advance into very-deep-sub-micron （VDSM）, electrostatic discharge （ESD） failure becomes one of the most devastating IC reliability problems and on-chip ESD protection design emerges as a major challenge to radio frequency （RF）, analog, and mixed-signal （AMS） IC designs. This paper reviews key design aspects and recent advances in whole-chip ESD protection designs for RF/AMS IC applications in CMOS technologies.
