星用功率 MOSFET 器件单粒子烧毁试验研究
성용공솔 MOSFET 기건단입자소훼시험연구
Single-Event Burnout of Power MOSFET Devices for Satellite Application
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2008年 12期 1125-1129 ,共5页

    薛玉雄%田恺%曹洲%杨世宇%刘刚%蔡小五%陆江

    설옥웅%전개%조주%양세우%류강%채소오%륙강

    功率MOSFET器件%单粒子烧毁%锎源 功率MOSFET器件%單粒子燒燬%锎源
    공솔MOSFET기건%단입자소훼%개원
    针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252 Cf 模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究.通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据.
    침대국산공솔MOSFET기건JTMCS081화JTMCS062,이용실험실적MOSFET기건단입자소훼시험측시계통,재252 Cf 모의계통상개전료단입자소훼평고시험연구.통과시험연구획득료피시기건단입자소훼적전압역치,위피측기건재위성형호적사용제공기술삼고의거.
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