微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
12期
724-728
,共5页
石二磊%崔岩%夏劲松%王立鼎
石二磊%崔巖%夏勁鬆%王立鼎
석이뢰%최암%하경송%왕립정
硅尖%各向异性%氧化削尖%晶面%掩模
硅尖%各嚮異性%氧化削尖%晶麵%掩模
규첨%각향이성%양화삭첨%정면%엄모
采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响.设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52～2.1的硅尖,并结合晶面相交模型,提出了硅尖晶面的判别方法,讨论了实验中出现的{411}和{331}晶面族两种硅尖晶面类型,实验结果和理论分析相一致.通过分析腐蚀溶液的质量分数和添加剂对{411}、{331}晶面族腐蚀速度的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数.实验结果表明:当正方形掩模边缘沿<110>晶向时,在78℃、质量分数40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,再经980℃干氧氧化3 h进行锐化削尖,可制备出纵横比大于2、曲率半径达纳米量级的硅尖阵列.
採用KOH溶液各嚮異性腐蝕單晶硅的方法製備高縱橫比的納米硅尖,研究瞭腐蝕溶液的濃度、添加劑異丙醇(IPA)對硅尖形狀的影響.設計瞭硅尖製作的工藝流程,製備瞭形狀不同、縱橫比值為0.52～2.1的硅尖,併結閤晶麵相交模型,提齣瞭硅尖晶麵的判彆方法,討論瞭實驗中齣現的{411}和{331}晶麵族兩種硅尖晶麵類型,實驗結果和理論分析相一緻.通過分析腐蝕溶液的質量分數和添加劑對{411}、{331}晶麵族腐蝕速度的影響,得到瞭製備高縱橫比納米硅尖的工藝參數.實驗結果錶明:噹正方形掩模邊緣沿<110>晶嚮時,在78℃、質量分數40%的KOH溶液中腐蝕硅尖,再經980℃榦氧氧化3 h進行銳化削尖,可製備齣縱橫比大于2、麯率半徑達納米量級的硅尖陣列.
채용KOH용액각향이성부식단정규적방법제비고종횡비적납미규첨,연구료부식용액적농도、첨가제이병순(IPA)대규첨형상적영향.설계료규첨제작적공예류정,제비료형상불동、종횡비치위0.52～2.1적규첨,병결합정면상교모형,제출료규첨정면적판별방법,토론료실험중출현적{411}화{331}정면족량충규첨정면류형,실험결과화이론분석상일치.통과분석부식용액적질량분수화첨가제대{411}、{331}정면족부식속도적영향,득도료제비고종횡비납미규첨적공예삼수.실험결과표명:당정방형엄모변연연<110>정향시,재78℃、질량분수40%적KOH용액중부식규첨,재경980℃간양양화3 h진행예화삭첨,가제비출종횡비대우2、곡솔반경체납미량급적규첨진렬.
