内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）
內矇古師範大學學報（自然科學漢文版）
내몽고사범대학학보（자연과학한문판）
JOURNAL OF INNER MONGOLIA NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2008年
2期
224-229
,共6页
王喜贵%于振友%娜米拉%薄素玲
王喜貴%于振友%娜米拉%薄素玲
왕희귀%우진우%나미랍%박소령
溶胶-凝胶技术%Tb3+和Ga3+共掺杂SiO2材料%发光性质
溶膠-凝膠技術%Tb3+和Ga3+共摻雜SiO2材料%髮光性質
용효-응효기술%Tb3+화Ga3+공참잡SiO2재료%발광성질
通过溶胶-凝胶法制备了Tb3+、Ga3+共掺杂的SiO2发光材料,利用红外光谱、X射线衍射仪对其结构进行表征,通过三维、激发光谱和发射光谱对其发光性质进行分析.结果表明:经过700℃退火处理后的材料,其红外光谱只显示O-Si-O键的存在,表明水和有机物已完全除去;用544nm作为监测波长测得的激发光谱符合三价稀土离子的激发规律;在230nm光激发下得到4条Tb3+的特征发射谱带,分别是467nm(5D3-7F6),492nm(5D4-7F6),544nm(5D4-7F5),583nm(5D4-7F4),且来自5D3的跃迁在高温时由于交叉弛豫而猝灭;只掺杂Ga3+的材料在460nm处发出强烈蓝光,Tb3+、Ga3+共掺杂SiO2材料在460nm处蓝光急剧减弱,而对发光中心Tb3+544nm处的5D4-7F5跃迁和492nm处的5D4-7F6跃迁均有促进作用.此外,还分别研究了不同Ga3+或Tb3+的掺入量、退火温度对材料发光性质的影响.
通過溶膠-凝膠法製備瞭Tb3+、Ga3+共摻雜的SiO2髮光材料,利用紅外光譜、X射線衍射儀對其結構進行錶徵,通過三維、激髮光譜和髮射光譜對其髮光性質進行分析.結果錶明:經過700℃退火處理後的材料,其紅外光譜隻顯示O-Si-O鍵的存在,錶明水和有機物已完全除去;用544nm作為鑑測波長測得的激髮光譜符閤三價稀土離子的激髮規律;在230nm光激髮下得到4條Tb3+的特徵髮射譜帶,分彆是467nm(5D3-7F6),492nm(5D4-7F6),544nm(5D4-7F5),583nm(5D4-7F4),且來自5D3的躍遷在高溫時由于交扠弛豫而猝滅;隻摻雜Ga3+的材料在460nm處髮齣彊烈藍光,Tb3+、Ga3+共摻雜SiO2材料在460nm處藍光急劇減弱,而對髮光中心Tb3+544nm處的5D4-7F5躍遷和492nm處的5D4-7F6躍遷均有促進作用.此外,還分彆研究瞭不同Ga3+或Tb3+的摻入量、退火溫度對材料髮光性質的影響.
통과용효-응효법제비료Tb3+、Ga3+공참잡적SiO2발광재료,이용홍외광보、X사선연사의대기결구진행표정,통과삼유、격발광보화발사광보대기발광성질진행분석.결과표명:경과700℃퇴화처리후적재료,기홍외광보지현시O-Si-O건적존재,표명수화유궤물이완전제거;용544nm작위감측파장측득적격발광보부합삼개희토리자적격발규률;재230nm광격발하득도4조Tb3+적특정발사보대,분별시467nm(5D3-7F6),492nm(5D4-7F6),544nm(5D4-7F5),583nm(5D4-7F4),차래자5D3적약천재고온시유우교차이예이졸멸;지참잡Ga3+적재료재460nm처발출강렬람광,Tb3+、Ga3+공참잡SiO2재료재460nm처람광급극감약,이대발광중심Tb3+544nm처적5D4-7F5약천화492nm처적5D4-7F6약천균유촉진작용.차외,환분별연구료불동Ga3+혹Tb3+적참입량、퇴화온도대재료발광성질적영향.
