CAJ | 학술논문

近年来,随着驱动IC的I/O数量日益增多,芯片I/O端的排列密度也越来越大.为了与间距日益精细的芯片I/O端相适应,COF基板的线宽/间距已经普遍降到50μm以下,尤其是某些内部引线键合(ILB)端,其线宽/间距已经减小到15μm.由于传统的减成法存在不可避免的侧蚀问题,所以用它来制作如此精细的线路存在一定难度.但是使用半加成法就能很大程度的抑制侧蚀现象,它更适合于制作非常精细的线路.文章中,介绍以铜箔厚度仅有2μm的溅射型挠性覆铜板为原材料,采用半加成法制作了最小线宽/间距分别为50μm/50μm和30μm/30μm的精细线路基板.在半加成法的差分蚀刻工艺中,选用硫酸/双氧水蚀刻液来蚀刻去除基材铜,而不是选用常用的盐酸/氯化铜蚀刻液.结果表明,半加成法具有很好的蚀刻性能,其制作出的线路横截面非常接近矩形.即使基板的线宽/间距由50μm/50μm下降到30μm/30μm,线路的横截面依然非常理想,并没有出现向梯形变化的趋势.同时,由于半加成法所需时间非常短,它能很好的保持线宽,使其与设计尺寸一致.
근년래,수착구동IC적I/O수량일익증다,심편I/O단적배렬밀도야월래월대.위료여간거일익정세적심편I/O단상괄응,COF기판적선관/간거이경보편강도50μm이하,우기시모사내부인선건합(ILB)단,기선관/간거이경감소도15μm.유우전통적감성법존재불가피면적측식문제,소이용타래제작여차정세적선로존재일정난도.단시사용반가성법취능흔대정도적억제측식현상,타경괄합우제작비상정세적선로.문장중,개소이동박후도부유2μm적천사형뇨성복동판위원재료,채용반가성법제작료최소선관/간거분별위50μm/50μm화30μm/30μm적정세선로기판.재반가성법적차분식각공예중,선용류산/쌍양수식각액래식각거제기재동,이불시선용상용적염산/록화동식각액.결과표명,반가성법구유흔호적식각성능,기제작출적선로횡절면비상접근구형.즉사기판적선관/간거유50μm/50μm하강도30μm/30μm,선로적횡절면의연비상이상,병몰유출현향제형변화적추세.동시,유우반가성법소수시간비상단,타능흔호적보지선관,사기여설계척촌일치.