半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
3期
549-553
,共5页
刘丰珍%崔介东%张群芳%朱美芳%周玉琴
劉豐珍%崔介東%張群芳%硃美芳%週玉琴
류봉진%최개동%장군방%주미방%주옥금
纳米硅薄膜%异质结电池%暗电流-电压特性%输运机制
納米硅薄膜%異質結電池%暗電流-電壓特性%輸運機製
납미규박막%이질결전지%암전류-전압특성%수운궤제
采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗Ⅰ-Ⅴ特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0～0.15V)、非理想二极管2(0.15～0.3V)、理想二极管1(0.3～0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(～30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282～335K的暗Ⅰ-Ⅴ温度特性的研究表明,在0.15～0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3～0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.
採用HWCVD技術在p型CZ晶體硅襯底上製備瞭納米硅/晶體硅異質結太暘電池,測量瞭晶體硅錶麵在不同氫處理時間下的異質結的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相應的電池性能參數.室溫下的正嚮暗Ⅰ-Ⅴ特性採用雙二極管模型來擬閤,可將0～1V的電壓範圍區分為4箇區域:徬路電阻(0～0.15V)、非理想二極管2(0.15～0.3V)、理想二極管1(0.3～0.5V)和串聯電阻(>0.5V).擬閤結果錶明,適噹的氫處理時間(～30s)可有效降低非理想二極管的理想因子n2,即降低界麵複閤電流,錶明具有好的界麵特性.對于282～335K的暗Ⅰ-Ⅴ溫度特性的研究錶明,在0.15～0.3V的低電壓範圍,暗電流主要由耗儘區的複閤電流提供,0.3～0.5V電壓範圍,對輸運起主要作用的是隧穿過程,該過程可用通過界麵陷阱能級的隧穿模型來解釋.
채용HWCVD기술재p형CZ정체규츤저상제비료납미규/정체규이질결태양전지,측량료정체규표면재불동경처리시간하적이질결적암Ⅰ-Ⅴ특성화상응적전지성능삼수.실온하적정향암Ⅰ-Ⅴ특성채용쌍이겁관모형래의합,가장0～1V적전압범위구분위4개구역:방로전조(0～0.15V)、비이상이겁관2(0.15～0.3V)、이상이겁관1(0.3～0.5V)화천련전조(>0.5V).의합결과표명,괄당적경처리시간(～30s)가유효강저비이상이겁관적이상인자n2,즉강저계면복합전류,표명구유호적계면특성.대우282～335K적암Ⅰ-Ⅴ온도특성적연구표명,재0.15～0.3V적저전압범위,암전류주요유모진구적복합전류제공,0.3～0.5V전압범위,대수운기주요작용적시수천과정,해과정가용통과계면함정능급적수천모형래해석.
